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日本半導體工藝臭氧水生產(chǎn)設(shè)備

發(fā)布日期:2023-02-06  瀏覽次數(shù):

日本半導體工藝臭氧水生產(chǎn)設(shè)備

廣泛的適應(yīng)范圍,從濃度到 100ppm,從流速到 60L/min。 可根據(jù)各種要求進行定制。

大流量、高濃度的臭氧水生成裝置。 歡迎定制。 適合清洗、電阻剝離應(yīng)用,也是單片式清洗裝置的理想選擇。

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清潔臭氧水,無金屬污染

我們不使用金屬作為液體接觸部分。 可生產(chǎn)出適合半導體清洗的清潔無金屬臭氧水。

滿足廣泛的需求

臭氧水濃度高達 100 ppm,流量從 1L/min 到 60L/min 不等。 我們根據(jù)半導體工藝中對臭氧水的各種需求定制設(shè)備。

歡迎定制

可根據(jù)使用流程和設(shè)備進行定制。


主要用途和行業(yè)

半導體清洗

液晶制造工藝

太陽能電池清洗


產(chǎn)品規(guī)格

型號(示例)OWF-C45L30POWF-C5L30P
臭氧水濃度
(臭氧水生成能力)
高達 100 ppm高達 60 ppm
臭氧水流量
(臭氧水生成能力)
高達 60L/min高達 7L/min
臭氧水排放壓力
(臭氧水生成能力)
高達 0.15MPa高達 0.20MPa
原料氧條件壓力0.3MPa,純度99.5%以上(CO2或N2調(diào)整)
原料水條件超純水、純水、市水,0.25MPa,25°C以下
接觸臭氧材料石英玻璃,PFA,PTFE,紅寶石
臭氧生成方法無聲放電法
放電管冷卻系統(tǒng)水冷(內(nèi)部散熱器水冷)
外形尺寸900W×929D×1881H
(不包括突起)
611W×590D×1317H
(不包括突起)
電源AC100V±10%,50/60Hz
功耗5kW1kW
外部輸入/輸出
使用環(huán)境氣溫5~40°C,濕度90%R.H.以下
室內(nèi),無結(jié)露,塵埃少